Acesso mais rápido do que o navegador!Semelhanças entre DDR4 SDRAM e SDRAM
DDR4 SDRAM e SDRAM têm 19 coisas em comum (em Unionpedia): Advanced Micro Devices, Circuito integrado tridimensional, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, DDR5 SDRAM, Double data rate, Dynamic random access memory, Fabricação de dispositivos semicondutores, GDDR, GDDR5, Gigabit, Grupo Samsung, Intel, Intel Developer Forum, JEDEC, Largura de barramento, Micron Technology, SDRAM, SK Hynix.
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices, Inc. (em Tradução literal: Micro Dispositivos Avançados) é uma empresa Estado-unidense fabricante de circuitos integrados, especialmente processadores e placas de vídeo.
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Circuito integrado tridimensional
Na eletrônica, um circuito integrado tridimensional (CI 3D) é um chip com duas ou mais camadas de componentes eletrônicos ativos, com integração horizontal e vertical em um único circuito.
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DDR2 SDRAM
SDRAM DDR2 512MB Double Data Rate 2 Synchronous Dynamic Random-Access Memory (memória de acesso aleatório dinâmica síncrona com fluxo de dados duplo tipo 2, DDR2 SDRAM) é uma interface de memória de acesso aleatório dinâmico síncrono (DDR) de taxa de dados dupla (SDRAM).
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DDR3 SDRAM
Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random-Access Memory (memória de acesso aleatório dinâmica síncrona com fluxo de dados duplo tipo 3, DDR3 SDRAM) é um tipo de memória de acesso aleatório dinâmica síncrona (SDRAM) com uma interface de alta largura de banda ("taxa de dados dupla") e está em uso desde 2007.
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DDR5 SDRAM
DDR5 SDRAM é a abreviação oficial de Double Data Rate 5 Synchronous Dynamic Random-Access Memory.
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Double data rate
Módulo de DDR SDRAM DIMM. Em computação, um barramento de computador operando com double data rate (em taxa de transferência dobrada) transfere dados na subida e na descida do sinal de clock.
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Dynamic random access memory
Dynamic random-access memory (DRAM), em português memória dinâmica de acesso aleatório, é um tipo de memória semicondutora de acesso aleatório que armazena cada bit de dados em uma célula de memória que consiste em um pequeno capacitor e um transistor, ambos tipicamente baseados na tecnologia metal-óxido-semicondutor (MOS).
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Fabricação de dispositivos semicondutores
Fabricação de dispositivos semicondutores é o processo utilizado para criar os circuitos integrados que estão presentes em todos os dispositivos eletrônicos.
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GDDR
Graphics double data rate synchronous dynamic random-access memory (memória de acesso aleatório dinâmica síncrona com fluxo de dados duplo para gráficos, GDDR SDRAM) é uma memória desenvolvida especificamente para utilização em placas gráficas.
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GDDR5
Graphics Double Data Rate 5 Synchronous Dynamic Random-Access Memory (memória de acesso aleatório dinâmica síncrona com fluxo de dados duplo para gráficos tipo 5, GDDR5 SDRAM) é um tipo de memória gráfica de acesso aleatório síncrona (SGRAM) com uma interface de alta largura de banda ("taxa de dados dupla") projetada para uso em placas gráficas, console de jogos, e computação de alto desempenho.
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Gigabit
Um Gigabit é uma unidade de armazenamento de informações ou dados de computadores.
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Grupo Samsung
O Grupo Samsung (ou simplesmente Samsung, estilizado como SΛMSUNG)(em coreano, 삼성 - samsʌŋ) é um conglomerado multinacional sul-coreano com sede na Samsung Town, Seul.
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Intel
Intel Corporation (estilizada como Intel, acrônimo de Integrated Electronics) é uma empresa multinacional e de tecnologia sediada em Santa Clara, Califórnia, no Vale do Silício.
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Intel Developer Forum
Edição de outubro do Intel Developer Forum Intel Developer Forum ou (IDF), foi uma reunião semestral de tecnólogos para discutir os produtos Intel e produtos baseados em produtos Intel.
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JEDEC
A JEDEC Solid State Technology Association (Associação para Tecnologia de Estado Sólido JEDEC - Conselho Conjunto para Engenharia de Dispositivos de Elétrons. Em inglês, Joint Electron Device Engineering Council) é uma organização comercial independente de engenharia de semicondutores e órgão de padronização com sede em Arlington County, Virginia, Estados Unidos.
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Largura de barramento
Em telecomunicações, a largura da banda, largura de barramento ou apenas banda (também chamada de débito) usualmente se refere à bitrate de uma rede de transferência de dados, ou seja, a quantidade em bits/s que a rede suporta.
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Micron Technology
Micron Technology, Inc. é um produtor americano de memória de computador e armazenamento de dados de computador, incluindo memória dinâmica de acesso aleatório, memória flash e unidades flash USB.
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SDRAM
Synchronous dynamic random-access memory (memória de acesso aleatório dinâmica síncrona, Ram dinâmica síncrona ou SDRAM) é qualquer DRAM em que a operação de sua interface de pino externa é coordenada por um sinal de relógio fornecido externamente.
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SK Hynix
SK Hynix é a segunda maior empresa de semicondutores da Coreia do Sul (atrás apenas da Samsung Electronics) e sexta maior do mundo, foi fundada em 1983 como Hyundai Electronics, porém em março de 2001 a empresa se tornou independente.
A lista acima responda às seguintes perguntas
- O que têm em comum DDR4 SDRAM e SDRAM
- Quais são as semelhanças entre DDR4 SDRAM e SDRAM
Comparação entre DDR4 SDRAM e SDRAM
DDR4 SDRAM tem 53 relações, enquanto SDRAM tem 77. Como eles têm em comum 19, o índice de Jaccard é 14.62% = 19 / (53 + 77).
Referências
Este artigo é a relação entre DDR4 SDRAM e SDRAM. Para acessar cada artigo visite:
