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MOSFET

Índice MOSFET

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

37 relações: Amplificador operacional, Atom, Bell Labs, BiCMOS, Campo elétrico, Circuito digital, CMOS, Condutividade, Corrente elétrica, Die (circuito integrado), EEPROM, Eletrônica analógica, EPROM, EV, Flip-flop, Gálio, Germânio, IBM, Isolante, JFET, Julius Edgar Lilienfeld, Lógica NMOS, Memória flash, Metal, MOSFET, Nanofio, Resistor, Série de Taylor, Semicondutor, Silício, Silicon, Tensão elétrica, Transístor, Transistor de efeito de campo, Transistor de junção bipolar, Universidade Estadual Paulista, William Bradford Shockley.

Amplificador operacional

Um amplificador operacional ou amp op é um amplificador com ganho muito elevado, tendo dois terminais de entrada: um designado por terminal inversor(-) e o outro identificado por terminal não inversor(+).

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Atom

O Atom são dois padrões da Web: o Atom Syndication Format é uma linguagem de programação XML utilizada em web feeds, enquanto o Atom Publishing Protocol (AtomPub ou APP) é um protocolo HTTP para criar e actualizar recursos da Web.

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Bell Labs

Nokia Bell Labs (originalmente chamada AT&T Bell Laboratories e Bell Telephone Laboratories) é uma empresa de pesquisa industrial e desenvolvimento científico, subsidiária da empresa finlandesa Nokia.

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BiCMOS

BiCMOS ou BiMOS (contração de Bipolar-CMOS) é uma técnica de circuito integrado aliando as vantagens do CMOS e do bipolar, o que significa uma forte densidade de integração e uma grande velocidade de tratamento.

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Campo elétrico

Um é o campo de força provocado pela ação de cargas elétricas, (elétrons, prótons ou íons) ou por sistemas delas.

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Circuito digital

placa de ensaio. Os circuitos digitais ou circuitos lógicos são definidos como circuitos eletrônicos que empregam a utilização de sinais elétricos em apenas dois níveis de corrente (ou tensão) para definir a representação de valores binários.

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CMOS

Complementary metal–oxide–semiconductor, mais conhecido pelo seu nome comercial CMOS, também sendo nomeado como complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (COS-MOS), em português metal-óxido-semicondutor complementar e metal-óxido-semicondutor de simetria complementar.

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Condutividade

*Condutividade elétrica.

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Corrente elétrica

Corrente elétrica é o fluxo ordenado de partículas portadoras de carga elétrica ou o deslocamento de cargas dentro de um condutor, quando existe uma diferença de potencial elétrico entre as extremidades.

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Die (circuito integrado)

bond wires'' conectados. Um ''die'' de circuito integrado VLSI. Um die (plural: dice, dies e die), ou pastilha, no contexto dos CIs é um pequeno bloco de material semicondutor, no qual um dado circuito funcional é fabricado.

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EEPROM

ST M24C02 EEPROM EEPROM (também escrita E2PROM, e pronunciada "e-e-prom"), sigla do inglês de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory, é um tipo de memória não-volátil usada em computadores e outros dispositivos eletrônicos para armazenar pequenas quantidades de dados que precisam ser salvos quando a energia é removida, por exemplo, dados de configuração do dispositivo.

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Eletrônica analógica

TDA8920 - Amplificador de potência, Classe D A eletrônica analógica é o ramo da Eletrônica que estuda o desempenho de componentes eletrônicos e circuitos analógicos como: resistores, capacitores, bobinas, potenciômetros, transistores, cristais e circuitos integrados em sua grande maioria.

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EPROM

Uma EPROM (sigla do inglês "erasable programmable read-only memory", significando "memória programável apagável somente de leitura") é um tipo de chip de memória de computador que mantém seus dados quando a energia é desligada.

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EV

*Estónia — cujas iniciais em estónio são EV (Eesti Vabariik, República da Estónia).

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Flip-flop

Multivibrador biestável (''R1, R2''.

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Gálio

Gálio é um elemento químico de símbolo Ga, de número atômico 31 (31 prótons e 31 elétrons) e massa atómica igual a 69,7 u. É um metal pertencente ao grupo 13 (anteriormente denominado IIIA) da classificação periódica dos elementos.

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Germânio

O germânio é um elemento químico de símbolo Ge, número atômico 32 (32 prótons e 32 elétrons) com massa atómica 72u.

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IBM

A International Business Machines Corporation (em tradução livre: Corporação Internacional de Máquinas de Negócios, sigla: IBM) é uma empresa dos Estados Unidos voltada para a área de informática.

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Isolante

Isolante pode referir-se a.

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JFET

JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica.

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Julius Edgar Lilienfeld

Julius Edgar Lilienfeld (Leópolis, — Charlotte Amalie) foi um físico austro-húngaro judeu.

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Lógica NMOS

A lógica nMOS (nFET Metal Oxide Silicon) usa transistores de efeito de campo de metal óxido-semicondutor MOSFET tipo-n para implementar portas lógicas e outros circuitos digitais.

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Memória flash

Uma memória flash é um tipo de dispositivo de armazenamento não volátil, ou seja, mesmo se não tiver energia, manterá as informações que salvas nela.

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Metal

Em química, um metal, do grego antigo métalon pode ser chamado de várias maneiras: pode ser um elemento, uma substância ou uma liga metálica caracterizado pela sua boa condutividade térmica e elétrica, geralmente apresentando uma cor prateada ou amarelada, e uma elevada dureza.

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MOSFET

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

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Nanofio

Nanofio é um feixe minúsculo com propriedades de um isolante, de um semicondutor ou de um metal, com diâmetro a partir de um nanômetro, utilizados, por exemplo, na construção de nanofios de fibra óptica.

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Resistor

Um é um dispositivo elétrico muito utilizado em eletrônica, ora com a finalidade de transformar energia elétrica em energia térmica por meio do efeito joule, ora com a finalidade de limitar a corrente elétrica em um circuito.

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Série de Taylor

Em matemática, uma série de Taylor é a série de funções da forma: onde f(x) é uma função analítica dada.

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Semicondutor

Os semicondutores são sólidos geralmente cristalinos de condutividade elétrica variável, podendo transitar com certa facilidade entre os estados de condutores e isolantes elétricos em função de parâmetros ambientais.

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Silício

O silício (latim: silex, sílex ou "pedra dura") é um elemento químico de símbolo Si de número atômico 14 (14 prótons e 14 elétrons) com massa atômica igual a 28 u. À temperatura ambiente, o silício encontra-se no estado sólido.

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Silicon

*Silicon Graphics.

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Tensão elétrica

Símbolo internacional de segurança: "Atenção, risco de choque elétrico" (ISO 3864). Tensão elétrica (denotada por ∆V), também conhecida como diferença de potencial (DDP), é a diferença de potencial elétrico entre dois pontos ou a diferença em energia potencial elétrica por unidade de carga elétrica entre dois pontos.

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Transístor

O transístor ou transistor (do inglês transfer varistor: varistor de transferência) é um dispositivo semicondutor usado para amplificar ou trocar sinais eletrônicos e potência elétrica, considera-se inventado em 1947 pelos físicos estadunidenses John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley.

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Transistor de efeito de campo

FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção.

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Transistor de junção bipolar

O transístor de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em inglês), é o tipo de transístor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade.

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Universidade Estadual Paulista

Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" (Unesp) é uma universidade pública brasileira, com atuação no ensino, na pesquisa e na extensão de serviços à comunidade.

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William Bradford Shockley

William Bradford Shockley (Londres, — Stanford) foi um físico e inventor estadunidense laureado com o prêmio Nobel de física em 1956.

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Redireciona aqui:

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, Mosfet, PMOS.

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