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Epitaxia

Índice Epitaxia

Epitaxia refere-se ao método de deposição de uma película monocristalina sobre um substrato monocristalino.

17 relações: ASM International, Cálculo renal, Ciência das superfícies, Eletrônica molecular, Epitaxia de Van der Waals, Epitaxia por feixe molecular, Espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X, Filme fino, Germaneno, Instituto de Física da Universidade de São Paulo, Microfabricação, Nitreto de gálio, Resistência de folha, Tecelagem molecular, Telureto de dimetilo, Trifluoreto de boro, Ultra-alto vácuo.

ASM International

ASM International (conhecida antigamente como ASM International N.V., sendo originalmente sigla para Materiais Semicondutores Avançados - do inglês Advanced Semiconductor Materials - ASM) é uma empresa Holandesa fundada em 1968 com sede em Almere, nos Países Baixos que se especializa em desenvolver e fabricar equipamentos para processamento de bolachas de silício (wafers) na indústria semicondutora.

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Cálculo renal

Calculose renal, conhecida vulgarmente por pedra no rim, é a presença no trato urinário de um cálculo formado a partir de sais minerais presentes na urina.

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Ciência das superfícies

A ciência das superfícies é o estudo dos fenômenos físicos e químicos que ocorrem na interface de duas fases, incluindo interfaces sólido-líquido, sólido-gás, sólido-vácuo, líquido-gás.

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Eletrônica molecular

Durante muitos anos, a miniaturização esteve presente na eletrônica.

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Epitaxia de Van der Waals

A engenharia de crescimento de filmes finos de forma epitaxial contribui para a obtenção de diversos dispositivos optoeletrônicos, onde a interação interfacial entre dois materiais distintos pode ser usada para modificar as propriedades estruturais, elétricas e ópticas do material combinado e agregar características necessárias e satisfatórias para o produto.

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Epitaxia por feixe molecular

A epitaxia por feixe molecular, mais conhecida como MBE (molecular-beam epitaxy) é um método para para de deposição epitaxial de filmes finos que utiliza uma ou mais fontes de feixes moleculares que incidem sobre uma superfície cristalina, denominada substrato.

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Espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X

A espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X ou XPS (do inglês X-ray photoelectron spectroscopy, também conhecida por espectroscopia de elétrons para análise química (ESCA, electron spectroscopy for chemical analysis) ou às vezes por espectroscopia Röntgen de fotoelétrons, é uma técnica experimental de análise que encontra grande aplicação em áreas onde o estudo físico-químico de amostras mostre-se importante. Em especial, é de grande valia em trabalhos na área da física do estado sólido. Na prática uma técnica de análise de superfície, a espectroscopia XPS fundamenta-se no efeito fotoelétrico, efeito experimentalmente descoberto por Heinrich Hertz em 1887 e teoricamente explicado por Albert Einstein em 1905, explicação teórica que lhe valeu o Prêmio Nobel de Física em 1921. Em essência, esta técnica consiste em se iluminar uma amostra com raios X e em coletar os fotoelétrons por ela emitidos em um analisor de elétrons, dispositivo esse capaz de resolvê-los em função das respectivas velocidades (energias cinéticas) e de, então, contá-los. Um gráfico de contagem de elétrons x velocidade (corrente x energia cinética) é estabelecido por varredura, geralmente através de um mecanismo de coleta de dados automatizado, e um espectro de XPS é obtido. Os espectros XPS permitem identificar quantitativamente, em profundidades da ordem de dezenas de nanômetros e com incerteza de fração centesimal de camada atômica, todos os elementos químicos na superfície da amostra, suas concentrações relativas, o ambiente químico dos elementos - seus estados de oxidação - e em casos específicos permite inclusive inferir a morfologia da superfície em análise.

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Filme fino

Filme fino é definido como uma camada de material com espessura entre nanômetros e micrômetros que é depositada sobre um material (substrato) com o objetivo de alterar suas propriedades superficiais.

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Germaneno

Germaneno é um material constituído por uma única camada de átomos de germânio.

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Instituto de Física da Universidade de São Paulo

Reabertura da entrada na Rua do Matão para o Instituto de Física da USP. O Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP) é a maior e mais antiga instituição de pesquisa e ensino de Física no Brasil.

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Microfabricação

A Microfabricação é o processo de fabricar estruturas em miniatura de escalas de micrômetros e menores.

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Nitreto de gálio

O nitreto de gálio, fórmula química GaN, é indispensável para diversas das últimas evoluções do campo da tecnologia.

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Resistência de folha

Resistência de folha é uma medida de resistência usada para caracterizar finas camadas de semicondutores dopados, normalmente uniformes em toda sua espessura.

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Tecelagem molecular

A tecelagem molecular é a síntese de materiais que possuem uma estrutura química composta por cadeias unidimensionais trançadas, de forma a construir um arranjo de duas ou três dimensões que se repete em intervalos regulares.

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Telureto de dimetilo

Telureto de dimetilo é um composto organotelureto, com fórmula (CH3)2Te, também conhecido pela abreviação DMTe.

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Trifluoreto de boro

Trifluoreto de boro é o composto químico de fórmula BF3.

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Ultra-alto vácuo

Ultra-alto vácuo (em inglês: ultra-high vacuum) é um estrato do vácuo caracterizado por pressões menores do que 10−7 pascal ou 100 nanopascals (10−9 mbar, ~10−9 torr).

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