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Dopagem eletrônica

Índice Dopagem eletrônica

Dopagem eletrônica ou simplemente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.

23 relações: Câmara gama, Defeito profundo, Detector semicondutor, Diodo semicondutor, Dispositivo de carga acoplada, Dopagem, Elipsometria, Energia solar fotovoltaica, Estrutura MOS, Grafeno, JFET, Junção PN, Karl Baedeker (físico), Laser quântico em cascata, Microfabricação, Peter Mansfield, Região de depleção, Resistência de folha, Silício monocristalino, Sulfeto de zinco, Superstrato, Telureto de zinco, Teoria de bandas.

Câmara gama

A câmara gama ou câmara de cintilação ou ainda câmara Anger é um equipamento usado na medicina nuclear, desenvolvido para gerar uma imagem planar, bidimensional, de raios gama emitidos por radiofármacos administrados a um paciente.

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Defeito profundo

Armadilhas profundas ou defeitos profundos são um tipo geralmente indesejável de defeito eletrônico em semicondutores.

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Detector semicondutor

Um detector semicondutor é um detector de radiação ionizante onde o meio a ser ionizado é um semicondutor.

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Diodo semicondutor

Diodo semicondutor é um elemento ou componente eletrônico composto de um cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes materiais durante sua formação, o que causa a polarização de cada uma das extremidades.

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Dispositivo de carga acoplada

Dispositivo de carga acoplada ou CCD (charge-coupled device) é um sensor semicondutor para captação de imagens formado por um circuito integrado que contém uma matriz de capacitores acoplados.

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Dopagem

Dopagem pode referir-se a.

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Elipsometria

Figura 1. Equipamento elipsômetro pertencente ao LPP (Laboratório de Plasmas e Processos) do ITA, localizado em São José dos Campos, Brasil A elipsometria é uma técnica de caracterização espectroscópica não destrutiva e não invasiva de materiais que permite obter propriedades ópticas de materiais líquidos e sólidos sem necessidade de contato.

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Energia solar fotovoltaica

A energia solar fotovoltaica é a energia obtida através da conversão direta da luz em eletricidade por meio do efeito fotovoltaico.

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Estrutura MOS

Estrutura Metal-óxido-semicondutor construída com um substrato de silício tipo p (estrutura PMOS) Uma estrutura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) é um dispositivo eletrónico formado por um substrato de silício dopado, sobre o qual se faz crescer uma capa de óxido (SiO2).

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Grafeno

O grafeno é uma das formas cristalinas do carbono, assim como o diamante, o grafite, os nanotubos de carbono e fulerenos.

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JFET

JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica.

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Junção PN

Uma junção P-N é produzida quando dois semicondutores do tipo P e do tipo N são ligados de forma que se mantenha a continuidade do reticulado cristalino.

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Karl Baedeker (físico)

Karl Wilhelm Sali Baedeker (Leipzig, – próximo a Liège) foi um físico alemão, professor da Universidade de Jena.

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Laser quântico em cascata

Os lasers quânticos em cascata (QCLs) são lasers semicondutores que emitem na faixa do infravermelho médio a distante do espectro eletromagnético.

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Microfabricação

A Microfabricação é o processo de fabricar estruturas em miniatura de escalas de micrômetros e menores.

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Peter Mansfield

Peter Mansfield (Londres, 9 de outubro de 1933 − Londres, 8 de fevereiro de 2017) foi um físico britânico.

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Região de depleção

A região de depleção refere-se a região em torno de uma junção P-N de um semicondutor na qual existem poucos portadores de carga (elétrons ou buracos).

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Resistência de folha

Resistência de folha é uma medida de resistência usada para caracterizar finas camadas de semicondutores dopados, normalmente uniformes em toda sua espessura.

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Silício monocristalino

O silício monocristalino, cristal único de Si ou mono-SI é um material base da indústria electrónica e está composto de silício no que a estrutura cristalina da totalidade do sólido é contínua, de forma ininterrumpida (sem bordas de grão) a suas bordas.

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Sulfeto de zinco

Sulfeto de zinco (ou, arcaicamente, sulfureto de zinco) é um composto químico com a fórmula química ZnS.

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Superstrato

Superstrato (do latim superstratu, us.

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Telureto de zinco

Telureto de zinco é um composto químico binário com a fórmula ZnTe.

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Teoria de bandas

A Teoria de bandas explica como ocorre a condução elétrica em sólidos.

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Redireciona aqui:

Dopagem electrónica, Dopagem semicondutora.

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