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Thyristor random access memory

Thyristor Random Access Memory ou T-RAM é um tipo de memória de acesso aleatório inventado e desenvolvido por T-RAM Semiconductor que parte dos projetos usuais de células de memória, combinando os pontos fortes do DRAM e SRAM: alta densidade e alta velocidade.

2 relações: Dynamic random access memory, SRAM.

Ano-novo

Ano-novo ou ano-bom é o momento em que um novo ano civil começa e um novo calendário anual é iniciado.

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Dynamic random access memory

Dynamic random-access memory (memória de acesso aleatório dinâmica, DRAM) é um tipo de memória RAM de acesso direto que armazena cada bit de dados num condensador ou capacitor.

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Natal

Natal ou Dia de Natal é um feriado e festival religioso cristão comemorado anualmente em 25 de dezembro (nos países eslavos e ortodoxos, cujos calendários eram baseados no calendário juliano, o Natal é comemorado no dia 7 de janeiro).

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SRAM

Memória SRAM (Static Random Access Memory, que significa memória estática de acesso aleatório em Português) é um tipo de memória de acesso aleatório que mantém os dados armazenados desde que seja mantida sua alimentação, não precisando que as células que armazenam os bits sejam atualizadas (de tempos em tempos) usualmente chamada de refreshing, como é o caso das memórias DRAM.

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Véspera de Ano-Novo

A Véspera de Ano-Novo, também chamada de réveillon, virada de ano, ou passagem de ano refere-se ao dia 31 de dezembro, precedente ao Dia de Ano-Novo nos países que seguem o calendário gregoriano.

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Véspera de Natal

Véspera de Natal refere-se à noite ou todo dia que precede o dia de Natal, um festival que comemora o nascimento de Jesus de Nazaré.

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Redireciona aqui:

T-RAM.

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