Thyristor random access memory

Thyristor Random Access Memory ou T-RAM é um tipo de memória de acesso aleatório inventado e desenvolvido por T-RAM Semiconductor que parte dos projetos usuais de células de memória, combinando os pontos fortes do DRAM e SRAM: alta densidade e alta velocidade.

2 relações: Dynamic random access memory, SRAM.

Dynamic random access memory

Dynamic random-access memory (memória de acesso aleatório dinâmica, DRAM) é um tipo de memória RAM de acesso direto que armazena cada bit de dados num condensador ou capacitor.

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SRAM

Memória SRAM (Static Random Access Memory, que significa memória estática de acesso aleatório em Português) é um tipo de memória de acesso aleatório que mantém os dados armazenados desde que seja mantida sua alimentação, não precisando que as células que armazenam os bits sejam atualizadas (de tempos em tempos) usualmente chamada de refreshing, como é o caso das memórias DRAM.

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T-RAM.

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