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MOSFET e Transístor

Atalhos: Diferenças, Semelhanças, Coeficiente de Similaridade de Jaccard, Referências.

Diferença entre MOSFET e Transístor

MOSFET vs. Transístor

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. O transístor ou transistor (do inglês transfer varistor: varistor de transferência) é um dispositivo semicondutor usado para amplificar ou trocar sinais eletrônicos e potência elétrica, considera-se inventado em 1947 pelos físicos estadunidenses John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley.

Semelhanças entre MOSFET e Transístor

MOSFET e Transístor têm 13 coisas em comum (em Unionpedia): Bell Labs, Campo elétrico, Corrente elétrica, Germânio, Julius Edgar Lilienfeld, MOSFET, Resistor, Semicondutor, Silício, Tensão elétrica, Transistor de efeito de campo, Transistor de junção bipolar, William Bradford Shockley.

Bell Labs

Nokia Bell Labs (originalmente chamada AT&T Bell Laboratories e Bell Telephone Laboratories) é uma empresa de pesquisa industrial e desenvolvimento científico, subsidiária da empresa finlandesa Nokia.

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Campo elétrico

Um é o campo de força provocado pela ação de cargas elétricas, (elétrons, prótons ou íons) ou por sistemas delas.

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Corrente elétrica

Corrente elétrica é o fluxo ordenado de partículas portadoras de carga elétrica ou o deslocamento de cargas dentro de um condutor, quando existe uma diferença de potencial elétrico entre as extremidades.

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Germânio

O germânio é um elemento químico de símbolo Ge, número atômico 32 (32 prótons e 32 elétrons) com massa atómica 72u.

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Julius Edgar Lilienfeld

Julius Edgar Lilienfeld (Leópolis, — Charlotte Amalie) foi um físico austro-húngaro judeu.

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MOSFET

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

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Resistor

Um é um dispositivo elétrico muito utilizado em eletrônica, ora com a finalidade de transformar energia elétrica em energia térmica por meio do efeito joule, ora com a finalidade de limitar a corrente elétrica em um circuito.

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Semicondutor

Os semicondutores são sólidos geralmente cristalinos de condutividade elétrica variável, podendo transitar com certa facilidade entre os estados de condutores e isolantes elétricos em função de parâmetros ambientais.

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Silício

O silício (latim: silex, sílex ou "pedra dura") é um elemento químico de símbolo Si de número atômico 14 (14 prótons e 14 elétrons) com massa atômica igual a 28 u. À temperatura ambiente, o silício encontra-se no estado sólido.

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Tensão elétrica

Símbolo internacional de segurança: "Atenção, risco de choque elétrico" (ISO 3864). Tensão elétrica (denotada por ∆V), também conhecida como diferença de potencial (DDP), é a diferença de potencial elétrico entre dois pontos ou a diferença em energia potencial elétrica por unidade de carga elétrica entre dois pontos.

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Transistor de efeito de campo

FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção.

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Transistor de junção bipolar

O transístor de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em inglês), é o tipo de transístor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade.

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William Bradford Shockley

William Bradford Shockley (Londres, — Stanford) foi um físico e inventor estadunidense laureado com o prêmio Nobel de física em 1956.

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A lista acima responda às seguintes perguntas

Comparação entre MOSFET e Transístor

MOSFET tem 37 relações, enquanto Transístor tem 61. Como eles têm em comum 13, o índice de Jaccard é 13.27% = 13 / (37 + 61).

Referências

Este artigo é a relação entre MOSFET e Transístor. Para acessar cada artigo visite:

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