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CMOS e Dispositivo de carga acoplada

Atalhos: Diferenças, Semelhanças, Coeficiente de Similaridade de Jaccard, Referências.

Diferença entre CMOS e Dispositivo de carga acoplada

CMOS vs. Dispositivo de carga acoplada

Complementary metal–oxide–semiconductor, mais conhecido pelo seu nome comercial CMOS, também sendo nomeado como complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (COS-MOS), em português metal-óxido-semicondutor complementar e metal-óxido-semicondutor de simetria complementar. Dispositivo de carga acoplada ou CCD (charge-coupled device) é um sensor semicondutor para captação de imagens formado por um circuito integrado que contém uma matriz de capacitores acoplados.

Semelhanças entre CMOS e Dispositivo de carga acoplada

CMOS e Dispositivo de carga acoplada têm 4 coisas em comum (em Unionpedia): Circuito integrado, MOSFET, Semicondutor, Silício.

Circuito integrado

encapsulamento removido. Fotografia da arquitetura interna de um microprocessador de imagens de ressonância magnética aumentada 600 vezes, sob luz ultravioleta, para se enxergarem os detalhes. Em eletrônica, um circuito integrado (CI), chipe, microchipe ou nanochipe (do inglês chip, microchip e nanochip, respectivamente), é um circuito eletrônico miniaturizado (composto principalmente por dispositivos semicondutores) sobre um substrato fino de material semicondutor.

CMOS e Circuito integrado · Circuito integrado e Dispositivo de carga acoplada · Veja mais »

MOSFET

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

CMOS e MOSFET · Dispositivo de carga acoplada e MOSFET · Veja mais »

Semicondutor

Os semicondutores são sólidos geralmente cristalinos de condutividade elétrica variável, podendo transitar com certa facilidade entre os estados de condutores e isolantes elétricos em função de parâmetros ambientais.

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Silício

O silício (latim: silex, sílex ou "pedra dura") é um elemento químico de símbolo Si de número atômico 14 (14 prótons e 14 elétrons) com massa atômica igual a 28 u. À temperatura ambiente, o silício encontra-se no estado sólido.

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A lista acima responda às seguintes perguntas

Comparação entre CMOS e Dispositivo de carga acoplada

CMOS tem 39 relações, enquanto Dispositivo de carga acoplada tem 21. Como eles têm em comum 4, o índice de Jaccard é 6.67% = 4 / (39 + 21).

Referências

Este artigo é a relação entre CMOS e Dispositivo de carga acoplada. Para acessar cada artigo visite:

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