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6 µm

Índice 6 µm

O processo de 6 μm é o nível de tecnologia de processo de semicondutor MOSFET que foi alcançado por volta de 1974, por empresas líderes de semicondutores, como a Toshiba e a Intel.

7 relações: CMOS, Intel, MOSFET, Semicondutor, Toshiba, 10 µm, 3 µm.

CMOS

Complementary metal–oxide–semiconductor, mais conhecido pelo seu nome comercial CMOS, também sendo nomeado como complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (COS-MOS), em português metal-óxido-semicondutor complementar e metal-óxido-semicondutor de simetria complementar.

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Intel

Intel Corporation (estilizada como Intel, acrônimo de Integrated Electronics) é uma empresa multinacional e de tecnologia sediada em Santa Clara, Califórnia, no Vale do Silício.

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MOSFET

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

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Semicondutor

Os semicondutores são sólidos geralmente cristalinos de condutividade elétrica variável, podendo transitar com certa facilidade entre os estados de condutores e isolantes elétricos em função de parâmetros ambientais.

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Toshiba

é um conglomerado multinacional japonês sediado em Tóquio, Japão.

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10 µm

O processo de 10 μm é o nível de tecnologia de processamento de semicondutor MOSFET que foi comercialmente atingiu cerca de 1971, por empresas de semicondutores principais tais como RCA e Intel.

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3 µm

O processo de 3 μm é o nível de tecnologia de processo de semicondutor MOSFET que foi alcançado por volta de 1977, por empresas líderes de semicondutores, como a Intel.

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